功能描述：MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

制造商：diodes incorporated

系列：汽车级，AEC-Q101

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：550 毫欧 @ 700mA, 10V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-223

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

标准包装：1,000

BSP75GTA

BSP75N

BSP75NE6327

BSP75NTA

BSP75NTC

BSP76

BSP76 E6327

BSP76 E6433

BSP762T

BSP762-T